Odaberite svoju zemlju ili regiju.

Close
Prijaviti se Registrirajte se E-mail:Info@infinite-electronic.hk
0 Item(s)

ON dodaje SiC MOSFETs

ON Semiconductor je uveo dva SiC MOSFET-a usmjerena na EV, solarne i UPS aplikacije.

Industrijski tip NHL080N120SC1 i AEC-Q101 automobilske kvalitete NVHL080N120SC1 upotpunjuju  SiC diode i SiC vozači, alati za simulaciju uređaja, SPICE modeli i informacije o primjeni.

ON je 1200 volt (V), 80 miliohm (mΩ), SiC MOSFET-ovi imaju nisku struju curenja, brzu unutarnju diodu s niskim povratnim punjenjem, koja daje strma smanjenja gubitka snage i podržava rad više frekvencije i veću gustoću snage, a nisku i Eoff / fast uključivanje i isključivanje u kombinaciji s niskim naponom napajanja kako bi se smanjili ukupni gubici snage i time zahtjevi hlađenja.


Nizak kapacitet uređaja podržava mogućnost prebacivanja na vrlo visokim frekvencijama što smanjuje probleme s EMI; u međuvremenu, veći val, sposobnost lavina i robusnost protiv kratkih spojeva povećavaju ukupnu robusnost, daju veću pouzdanost i duži ukupni životni vijek.

Daljnja prednost uređaja SiC MOSFET je završna struktura koja pridonosi pouzdanosti i robusnosti te povećava operativnu stabilnost.

NVHL080N120SC1 je dizajniran da izdrži visoke valne struje i nudi visoku lavinu i robusnost protiv kratkih spojeva.

AEC-Q101 kvalifikacija MOSFET-a i ostalih SiC uređaja, osigurava da se oni mogu u potpunosti iskoristiti u rastućem broju aplikacija u vozilu koje nastaju kao rezultat povećanja elektroničkog sadržaja i elektrifikacije pogonskih sustava.

Maksimalna radna temperatura od 175 ° C povećava prikladnost za uporabu u automobilskim dizajnu, kao i za druge ciljne aplikacije, gdje gustoća i prostorna ograničenja povećavaju tipične temperature okoline.